北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一种半导体结构及其形成方法专利 的文章

北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一种半导体结构及其形成方法专利，可以提高金属层间介电质的经时击穿性能

国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及...

gtsenergyinc 2026-01-21

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