北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一种半导体结构及其形成方法专利，可以提高金属层间介电质的经时击穿性能

国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121358271A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一金属层和覆盖所述第一金属层顶面的介电层；形成位于所述介电层中的第一开口，且所述第一开口的深度小于所述介电层的厚度；形成位于所述第一开口侧壁的保护层；以及加深所述第一开口，使所述第一开口贯穿所述介电层。本申请还提供一种半导体结构。本申请提供的半导体结构及其形成方法，可以提高金属层间介电质的经时击穿性能。

天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息513条，此外企业还拥有行政许可125个。

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来源：市场资讯